На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | EMX4T2R | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | EMT6 |
Производитель | Производитель | Rohm Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <50 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <20 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >27Ic, Vce = 10mA, 10V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 4mA, 20mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <1.5 ГГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |