На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | EMX2DXV6T5 | EMX2DXV6T5G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-563 | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 1mA, 6V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <180 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |