На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DMMT5551-7 | DMMT5551-7-F | DMMT5551S-7-F | DMMT5551-TP | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-26 | SOT-26 | SOT-26 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | Diodes Inc | Diodes Inc | Micro Commercial Co |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <200 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <160 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | <300 мВт | <300 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | |||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <150 мВIb, Ic = 1mA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <300 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |||