DMMT5401-7-F

DMMT5401, DMMT5401-7, DMMT5401-7-F, DMMT5401-TP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDMMT5401-7DMMT5401-7-FDMMT5401-TP
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-26SOT-26SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Производитель
Производитель
Diodes IncDiodes IncMicro Commercial Co
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<200 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<150 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<300 мВт<300 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>60Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<300 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<50 нА<50 нА(не задано)
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2