На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCM857BV,115 | BCM857BV,315 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SS Mini-6 (SOT-666) | |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <175 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |