На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC857BS,115 | BC857BS,135 | BC857BS-7-F | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | ||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Diodes Inc |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >220Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||