На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC848CDW1T1G | BC848CDXV6T1G | BC848CDXV6T5 | BC848CDXV6T5G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <30 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | |||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |||