На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC847PN-7-F | BC847PNB6327 | BC847PNE6327 | BC847PNE6433 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |||
Производитель | Производитель | Diodes Inc | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200.22Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | (не задано) | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN+PNP | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |||