BC847CD

BC847CD, BC847CDLP-7, BC847CDW1T1G, BC847CDXV6T1G, BC847CDXV6T5, BC847CDXV6T5G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBC847CDLP-7BC847CDW1T1GBC847CDXV6T1GBC847CDXV6T5BC847CDXV6T5G
Корпус микросхемы
Корпус
6-DFNSC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SOT-563SOT-563SOT-563
Производитель
Производитель
Diodes IncON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<350 мВт<380 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>420Ic, Vce = 2mA, 5V>270Ic, Vce = 10µA, 5V>270Ic, Vce = 10µA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<15 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2