На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC847BV,115 | BC847BV,315 | BC847BV-7 | BC847BVC-7 | BC847BVN,115 | BC847BVN-7 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SS Mini-6 (SOT-666) | SS Mini-6 (SOT-666) | SOT-563 | SOT-563 | SS Mini-6 (SOT-666) | SOT-563 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Diodes Inc | Diodes Inc | NXP Semiconductors | Diodes Inc |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <150 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | |||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <300 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | NPN | NPN | NPN | NPN+PNP | NPN+PNP |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |||||