На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC847BPDW1T1G | BC847BPDW1T2G | BC847BPDXV6T1 | BC847BPDXV6T1G | BC847BPDXV6T5G | BC847BPN,115 | BC847BPN,125 | BC847BPN,135 | BC847BPN,165 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | ||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <380 мВт | <380 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <300 мВт | <300 мВт | <300 мВт | <300 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >150Ic, Vce = 10µA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 5mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | ||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | NPN+PNP | NPN+PNP | NPN+PNP | NPN+PNP | NPN+PNP | NPN+PNP | NPN+PNP | NPN+PNP |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||||||||