BC817DPN,115

BC817DP, BC817DPN,115, BC817DPN,125

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBC817DPN,115BC817DPN,125
Корпус микросхемы
Корпус
SC-74-6
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<600 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>160Ic, Vce = 100mA, 1V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN+PNP
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2