ZXTP25020

ZXTP25020, ZXTP25020BFHTA, ZXTP25020CFFTA, ZXTP25020CFH, ZXTP25020DFHTA, ZXTP25020DFLTA, ZXTP25020DGTA, ZXTP25020DZTA

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрZXTP25020BFHTAZXTP25020CFFTAZXTP25020CFHZXTP25020DFHTAZXTP25020DFLTAZXTP25020DGTAZXTP25020DZTA
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3 Flat Leads, SOT-23F-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-89-3, TO-243-3
Производитель
Производитель
Diodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<4 А<4.5 А<4 А<4 А<1.5 А<6 А<5 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<20 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1.05 Вт<1.5 Вт<1.05 Вт<1.05 Вт<350 мВт<3 Вт<2.4 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 10mA, 2V>200Ic, Vce = 10mA, 2V>200Ic, Vce = 10mA, 2V>300Ic, Vce = 10mA, 2V>300Ic, Vce = 10mA, 2V>300Ic, Vce = 10mA, 2V>300Ic, Vce = 10mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<60 мВIb, Ic = 100mA, 1A<110 мВIb, Ic = 20mA, 1A<55 мВIb, Ic = 100mA, 1A<60 мВIb, Ic = 100mA, 1A<85 мВIb, Ic = 100mA, 1A<65 мВIb, Ic = 100mA, 1A<65 мВIb, Ic = 100mA, 1A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц<285 МГц<285 МГц<290 МГц<290 МГц<290 МГц<290 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP