На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | ZXTP2012A | ZXTP2012ASTOA | ZXTP2012ASTZ | ZXTP2012GTA | ZXTP2012ZTA | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | SOT-89-3, TO-243-3 |
Производитель | Производитель | Diodes/Zetex | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <3.5 А | <3.5 А | <3.5 А | <5.5 А | <4.3 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В | ||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <3 Вт | <1.5 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 1A, 1V | >100Ic, Vce = 1A, 1V | >100Ic, Vce = 1A, 1V | >100Ic, Vce = 2A, 1V | >100Ic, Vce = 2A, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <20 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <20 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <115 мВIb, Ic = 200mA, 2A | <25 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <20 мВIb, Ic = 10mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <120 МГц | ||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||