ZXTN5551FLTA

ZXTN5551, ZXTN5551FLTA, ZXTN5551GTA, ZXTN5551ZTA

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрZXTN5551FLTAZXTN5551GTAZXTN5551ZTA
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-89-3, TO-243-3
Производитель
Производитель
Diodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<600 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<160 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<330 мВт<2 Вт<1.2 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>80Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<130 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN