ZXTN25100DFHTA

ZXTN25100, ZXTN25100BFHTA, ZXTN25100DFHTA, ZXTN25100DGTA, ZXTN25100DZTA

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрZXTN25100BFHTAZXTN25100DFHTAZXTN25100DGTAZXTN25100DZTA
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-89-3, TO-243-3
Производитель
Производитель
Diodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<3 А<2.5 А<3 А<2.5 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<100 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1.05 Вт<1.05 Вт<3 Вт<2.4 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 10mA, 2V>300Ic, Vce = 10mA, 2V>300Ic, Vce = 10mA, 2V>300Ic, Vce = 10mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<55 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<170 мВIb, Ic = 10mA, 500mA<100 мВIb, Ic = 100mA, 1A<100 мВIb, Ic = 100mA, 1A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<160 МГц<175 МГц<175 МГц<175 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN