ZXTN25060BFHTA

ZXTN25060, ZXTN25060BFHTA, ZXTN25060BZTA

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрZXTN25060BFHTAZXTN25060BZTA
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-89-3, TO-243-3
Производитель
Производитель
Diodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<3.5 А<5 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1.05 Вт<1.8 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 10mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<40 мВIb, Ic = 50mA, 500A<70 мВIb, Ic = 100mA, 1A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<185 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN