На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | ZXTN25012EFHTA | ZXTN25012EFLTA | ZXTN25012EZTA | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-89-3, TO-243-3 |
Производитель | Производитель | Diodes/Zetex | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <6 А | <2 А | <6.5 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <12 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1.25 Вт | <350 мВт | <2.4 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >500Ic, Vce = 10mA, 2V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <32 мВIb, Ic = 100mA, 1A | <65 мВIb, Ic = 100mA, 1A | <130 мВIb, Ic = 20mA, 2A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <260 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||