ZTX788ASTOA

ZTX788, ZTX788A, ZTX788ASTOA, ZTX788ASTOB, ZTX788ASTZ, ZTX788B, ZTX788BSTOA, ZTX788BSTOB, ZTX788BSTZ

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрZTX788AZTX788ASTOAZTX788ASTOBZTX788ASTZZTX788BZTX788BSTOAZTX788BSTOBZTX788BSTZ
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Diodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<3 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<15 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>300Ic, Vce = 10mA, 1V>300Ic, Vce = 10mA, 1V>300Ic, Vce = 10mA, 1V>300Ic, Vce = 10mA, 1V>500Ic, Vce = 10mA, 2V>500Ic, Vce = 10mA, 2V>500Ic, Vce = 10mA, 2V>500Ic, Vce = 10mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<320 мВIb, Ic = 20mA, 2A<320 мВIb, Ic = 20mA, 2A<320 мВIb, Ic = 20mA, 2A<320 мВIb, Ic = 20mA, 2A<250 мВIb, Ic = 5mA, 1A<250 мВIb, Ic = 5mA, 1A<250 мВIb, Ic = 5mA, 1A<250 мВIb, Ic = 5mA, 1A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP