ZTX601ASTOA

ZTX601, ZTX601A, ZTX601ASTOA, ZTX601ASTOB, ZTX601ASTZ, ZTX601B, ZTX601BSTOA, ZTX601BSTZ, ZTX601STOA, ZTX601STOB, ZTX601STZ

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрZTX601AZTX601ASTOAZTX601ASTOBZTX601ASTZZTX601BZTX601BSTOAZTX601BSTZZTX601STOAZTX601STOBZTX601STZ
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Diodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<160 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>2000Ic, Vce = 500mA, 10V>2000Ic, Vce = 500mA, 10V>2000Ic, Vce = 500mA, 10V>2000Ic, Vce = 500mA, 10V>5000Ic, Vce = 50mA, 10V>5000Ic, Vce = 50mA, 10V>5000Ic, Vce = 50mA, 10V>2000Ic, Vce = 500mA, 10V>2000Ic, Vce = 500mA, 10V>2000Ic, Vce = 500mA, 10V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.1 ВIb, Ic = 5mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Darlington
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<10 мкА