На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | TN5415A | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Long Body), TO-226 |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <200 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >30Ic, Vce = 50mA, 10V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <2.5 ВIb, Ic = 5mA, 50mA |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <50 мкА |