TIP42

TIP42, TIP42A, TIP42AG, TIP42B, TIP42BG, TIP42C, TIP42C-BP, TIP42CG, TIP42CN, TIP42CTU, TIP42G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		TIP42A	TIP42AG	TIP42B	TIP42BG	TIP42C	TIP42C-BP	TIP42CG	TIP42CN	TIP42CTU	TIP42G
Корпус микросхемы	Корпус	TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель	Производитель	STMicroelectronics	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	Microsemi	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	STMicroelectronics	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<6 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<60 В	<60 В	<80 В	<80 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<2 Вт	<65 Вт	<2 Вт	<65 Вт	<65 Вт	<65 Вт	<65 Вт	<65 Вт	<2 Вт	<65 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>15Ic, Vce = 3A, 4V	>15Ic, Vce = 3A, 4V	>15Ic, Vce = 3A, 4V	>15Ic, Vce = 3A, 4V	>15	>15Ic, Vce = 3A, 4V	>15Ic, Vce = 3A, 4V	>15Ic, Vce = 3A, 4V	>15Ic, Vce = 3A, 4V	>15Ic, Vce = 3A, 4V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<1.5 ВIb, Ic = 600µA, 6A	<1.5 ВIb, Ic = 600mA, 6A	<1.5 ВIb, Ic = 600mA, 6A	<1.5 ВIb, Ic = 600mA, 6A	<1.5 В	<1.5 ВIb, Ic = 600mA, 6A	<1.5 ВIb, Ic = 600mA, 6A	<1.5 ВIb, Ic = 600µA, 6A	<1.5 ВIb, Ic = 600mA, 6A	<1.5 ВIb, Ic = 600mA, 6A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<3 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	PNP
Ток отсечки коллектора	I_frc	<700 мкА	<400 мкА	<400 мкА	<400 мкА	<700 мкА	<700 мкА	<400 мкА	<700 мкА	<400 мкА	<400 мкА