TIP36C

TIP36, TIP36AG, TIP36C, TIP36CG, TIP36CP, TIP36CW

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрTIP36AGTIP36CTIP36CGTIP36CPTIP36CW
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-93, TO-218 (Straight Leads)SOT-93, TO-218 (Straight Leads)SOT-93, TO-218 (Straight Leads)TO-3PTO-247-3
Производитель
Производитель
ON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<25 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В<100 В<100 В<100 В<100 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<125 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>15Ic, Vce = 15A, 4V>15Ic, Vce = 15A, 4V>15Ic, Vce = 15A, 4V>10Ic, Vce = 15A, 4V>10Ic, Vce = 15A, 4V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.8 ВIb, Ic = 1.5A, 15A<1.8 ВIb, Ic = 1.5A, 15A<1.8 ВIb, Ic = 1.5A, 15A<4 ВIb, Ic = 5A, 25A<1.8 ВIb, Ic = 1.5A, 15A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<3 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<1 мА<700 мкА<700 мкА<1 мА<1 мА