TIP30

TIP30, TIP30A, TIP30ATU, TIP30C, TIP30CG, TIP30CTU, TIP30G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрTIP30ATIP30ATUTIP30CTIP30CGTIP30CTUTIP30G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
STMicroelectronicsFairchild SemiconductorMicrosemiON SemiconductorFairchild SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В<60 В<100 В<100 В<100 В<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<30 Вт<2 Вт<30 Вт<30 Вт<2 Вт<30 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>15Ic, Vce = 1A, 4V>15Ic, Vce = 1A, 4V>15>15Ic, Vce = 1A, 4V>15Ic, Vce = 1A, 4V>15Ic, Vce = 1A, 4V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<700 мВIb, Ic = 125mA, 1A<700 мВIb, Ic = 125mA, 1A<700 мВ<700 мВIb, Ic = 125mA, 1A<700 мВIb, Ic = 125mA, 1A<700 мВIb, Ic = 125mA, 1A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<3 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<300 мкА<200 мкА<200 мкА<300 мкА<200 мкА<300 мкА