STX616

STX616, STX616-AP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTX616-AP
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1.5 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<500 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<2.8 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>4Ic, Vce = 1.5A, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1 ВIb, Ic = 200mA, 1A
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<500 мкА