На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STBV32G | STBV32G-AP | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1.5 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <400 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1.5 Вт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >8Ic, Vce = 500mA, 2V | >20Ic, Vce = 500µA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 ВIb, Ic = 250mA, 1A | <1.2 ВIb, Ic = 250mA, 1A |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | <5 мА |