ST2310FX

ST2310, ST2310DHI, ST2310FX

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрST2310DHIST2310FX
Корпус микросхемы
Корпус
ISOWATT-218-3ISOWATT218FX
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<12 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<600 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<55 Вт<65 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>50.5Ic, Vce = 7A, 5V>60.5Ic, Vce = 7A, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<3 ВIb, Ic = 1.75A, 7A
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<1 мА