На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SMBT3906B5003 | SMBT3906E6327 | SMBT3906E6767 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | ||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <200 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <330 мВт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||