На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PZT2907A | PZT2907A,115 | PZT2907A,135 | PZT2907AT1 | PZT2907AT1G | PZT2907AT3 | PZT2907AT3G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <800 мА | <600 мА | <600 мА | <600 мА | <600 мА | <600 мА | <600 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В | ||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1 Вт | <1.15 Вт | <1.15 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 150mA, 10V | >75Ic, Vce = 100µA, 10V | >75Ic, Vce = 100µA, 10V | >100Ic, Vce = 150mA, 10V | >100Ic, Vce = 150mA, 10V | >100Ic, Vce = 150mA, 10V | >100Ic, Vce = 150mA, 10V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA | <400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | <400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | <400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | <400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | <400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | <400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | ||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||