PN2907A

PN2907, PN2907A, PN2907A,116, PN2907A,126, PN2907A-AP, PN2907ABU, PN2907A_D81Z, PN2907ADI, PN2907AG, PN2907A_J05Z, PN2907A_J18Z, PN2907A_J61Z, PN2907ANLBU, PN2907ARLRA, PN2907ARLRAG, PN2907AT93, PN2907ATA, PN2907ATAR, PN2907ATF, PN2907ATFR, PN2907BU, PN2907TA, PN2907TAR, PN2907TF, PN2907TFR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		PN2907A	PN2907A,116	PN2907A,126	PN2907A-AP	PN2907ABU	PN2907A_D81Z	PN2907ADI	PN2907AG	PN2907A_J05Z	PN2907A_J18Z	PN2907A_J61Z	PN2907ANLBU	PN2907ARLRA	PN2907ARLRAG	PN2907AT93	PN2907ATA	PN2907ATAR	PN2907ATF	PN2907ATFR	PN2907BU	PN2907TA	PN2907TAR	PN2907TF	PN2907TFR
Корпус микросхемы	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель	Производитель	STMicroelectronics	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Micro Commercial Co	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Diodes Inc	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<500 мА	<800 мА	<800 мА	<300 мА	<600 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<600 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 10mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 1mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 1mA, 10V	>100Ic, Vce = 1mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Структура биполярного транзистора	Структура	PNP
Ток отсечки коллектора	I_frc	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<50 нА	(не задано)	(не задано)	<50 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)