На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PN2369A | PN2369A,126 | PN2369A_D26Z | PN2369A_D27Z | PN2369A_D74Z | PN2369A_D75Z | PN2369_D26Z | PN2369_D27Z | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <200 мА | |||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В | |||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <350 мВт | <500 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <350 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >40Ic, Vce = 10mA, 1V | >40Ic, Vce = 10mA, 350mV | >40Ic, Vce = 10mA, 1V | >40Ic, Vce = 10mA, 1V | >40Ic, Vce = 10mA, 1V | >40Ic, Vce = 10mA, 1V | >40Ic, Vce = 10mA, 1V | >40Ic, Vce = 10mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | (не задано) | <500 МГц | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||||||