PN2222_J18Z

PN2222, PN2222A, PN2222A,116, PN2222A,126, PN2222A,412, PN2222A-AP, PN2222ABU, PN2222A_D81Z, PN2222ADI, PN2222AG, PN2222A_J05Z, PN2222A_J18Z, PN2222A_J61Z, PN2222ANLBU, PN2222ARLRA, PN2222ARLRAG, PN2222ARLRMG, PN2222ARLRP, PN2222ARLRPG, PN2222AT93, PN2222ATA, PN2222ATAR, PN2222ATF, PN2222ATFR, PN2222BU, PN2222G, PN2222_J18Z, PN2222_J61Z, PN2222TA, PN2222TAR, PN2222TF, PN2222TFR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		PN2222A	PN2222A,116	PN2222A,126	PN2222A,412	PN2222A-AP	PN2222ABU	PN2222A_D81Z	PN2222ADI	PN2222AG	PN2222A_J05Z	PN2222A_J18Z	PN2222A_J61Z	PN2222ANLBU	PN2222ARLRA	PN2222ARLRAG	PN2222ARLRMG	PN2222ARLRP	PN2222ARLRPG	PN2222AT93	PN2222ATA	PN2222ATAR	PN2222ATF	PN2222ATFR	PN2222BU	PN2222G	PN2222_J18Z	PN2222_J61Z	PN2222TA	PN2222TAR	PN2222TF	PN2222TFR
Корпус микросхемы	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель	Производитель	STMicroelectronics	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Micro Commercial Co	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Diodes Inc	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<1 А	<1 А	<150 мА	<600 мА	<1 А	<1 А	<1 А	<1 А	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<1 А	<1 А	<1 А	<1 А	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>35Ic, Vce = 100µA, 10V	>35Ic, Vce = 100µA, 10V	>35Ic, Vce = 100µA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>35Ic, Vce = 100µA, 10V	>35Ic, Vce = 100µA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>35Ic, Vce = 100µA, 10V	>35Ic, Vce = 100µA, 10V	>35Ic, Vce = 100µA, 10V	>35Ic, Vce = 100µA, 10V	>35Ic, Vce = 100µA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>35Ic, Vce = 100µA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<270 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<250 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<250 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	NPN
Ток отсечки коллектора	I_frc	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<10 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)