На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PN200A | PN200A_D26Z | PN200A_D74Z | PN200A_D75Z | PN200A_J18Z | PN200_D26Z | PN200_D27Z | PN200_D74Z | PN200_D75Z | PN200RM | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | |||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | |||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <625 мВт | |||||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >300Ic, Vce = 10mA, 1V | >300Ic, Vce = 10mA, 1V | >300Ic, Vce = 10mA, 1V | >300Ic, Vce = 10mA, 1V | >300Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | |||||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | |||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <50 нА | |||||||||