На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PMBT2222,215 | PMBT2222,235 | PMBT2222A,215 | PMBT2222A,235 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <600 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <30 В | <30 В | <40 В | <40 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >35Ic, Vce = 100µA, 10V | |||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | <400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | <300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | <300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | <250 МГц | <300 МГц | <300 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||