На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PBSS9110AS,126 | PBSS9110D,115 | PBSS9110S,126 | PBSS9110T,215 | PBSS9110X,135 | PBSS9110Y,115 | PBSS9110Z,135 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SC-74-6 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | ||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <100 В | ||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <830 мВт | <550 мВт | <830 мВт | <300 мВт | <1.4 Вт | <480 мВт | <1 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >150Ic, Vce = 1mA, 5V | >150Ic, Vce = 1mA, 5V | >150Ic, Vce = 1mA, 5V | >150Ic, Vce = 1mA, 5V | >150Ic, Vce = 500mA, 5V | >150Ic, Vce = 1mA, 5V | >150Ic, Vce = 1mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <120 мВIb, Ic = 25mA, 250mA | ||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | ||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 нА | ||||||