PBSS8110D,115

PBSS8110, PBSS8110AS,126, PBSS8110D,115, PBSS8110S,126, PBSS8110T,215, PBSS8110X,135, PBSS8110Y,115, PBSS8110Z,135

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPBSS8110AS,126PBSS8110D,115PBSS8110S,126PBSS8110T,215PBSS8110X,135PBSS8110Y,115PBSS8110Z,135
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226SC-74-6TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<100 В<100 В<100 В<100 В<100 В<10 В<100 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<830 мВт<700 мВт<830 мВт<300 мВт<1.4 Вт<480 мВт<1 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>150Ic, Vce = 1mA, 10V>150Ic, Vce = 1mA, 5V>150Ic, Vce = 1mA, 10V>150Ic, Vce = 1mA, 10V>150Ic, Vce = 1mA, 10V>150Ic, Vce = 1mA, 10V>150Ic, Vce = 1mA, 10V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<40 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<120 мВIb, Ic = 25mA, 250mA<40 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<120 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<40 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<40 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<40 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPNPNPNPNNPNNPNNPNPNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА(не задано)<100 нА