PBSS5350D,115

PBSS5350, PBSS5350D,115, PBSS5350D,125, PBSS5350D,135, PBSS5350S,126, PBSS5350T,215, PBSS5350X,115, PBSS5350X,135, PBSS5350X,146, PBSS5350X,147, PBSS5350Z,135

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPBSS5350D,115PBSS5350D,125PBSS5350D,135PBSS5350S,126PBSS5350T,215PBSS5350X,115PBSS5350X,135PBSS5350X,146PBSS5350X,147PBSS5350Z,135
Корпус микросхемы
Корпус
SC-74-6SC-74-6SC-74-6TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<3 А<3 А<3 А<3 А<2 А<3 А<3 А<3 А<3 А<3 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<750 мВт<750 мВт<750 мВт<830 мВт<480 мВт<1.4 Вт<1.4 Вт<1.6 Вт<1.6 Вт<1.35 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>200Ic, Vce = 500mA, 2V>100Ic, Vce = 2A, 2V>200Ic, Vce = 500mA, 2V>200Ic, Vce = 500mA, 2V>200Ic, Vce = 100mA, 2V>200Ic, Vce = 500mA, 2V>200Ic, Vce = 100mA, 2V>200Ic, Vce = 1A, 2V>200Ic, Vce = 1A, 2V>200Ic, Vce = 500mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<100 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<300 мВIb, Ic = 200mA, 2A<100 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<100 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<90 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<90 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<90 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<390 мВIb, Ic = 300mA, 3A<390 мВIb, Ic = 300mA, 3A<90 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNPPNPPNPPNPPNPPNPPNPPNPPNPNPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА(не задано)