PBSS5320

PBSS5320, PBSS5320D,115, PBSS5320D,125, PBSS5320T,215, PBSS5320X,135

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPBSS5320D,115PBSS5320D,125PBSS5320T,215PBSS5320X,135
Корпус микросхемы
Корпус
SC-74-6SC-74-6SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<3 А<3 А<2 А<3 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<20 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<750 мВт<750 мВт<480 мВт<1.4 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>150Ic, Vce = 2A, 2V>150Ic, Vce = 2A, 2V>220Ic, Vce = 100mA, 2V>220Ic, Vce = 100mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<130 мВIb, Ic = 5mA, 500mA<400 мВIb, Ic = 300mA, 3A<70 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<70 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
(не задано)(не задано)(не задано)<100 нА