PBSS5250X,115

PBSS5250, PBSS5250T,215, PBSS5250X,115, PBSS5250X,135

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPBSS5250T,215PBSS5250X,115PBSS5250X,135
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<2 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<480 мВт<1 Вт<1 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>200Ic, Vce = 500mA, 2V>200Ic, Vce = 100mA, 2V>200Ic, Vce = 100mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<90 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNPNPNPNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
(не задано)<100 нА<100 нА