PBSS5240V,115

PBSS5240, PBSS5240T,215, PBSS5240V,115, PBSS5240Y,115, PBSS5240Y,135

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPBSS5240T,215PBSS5240V,115PBSS5240Y,115PBSS5240Y,135
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SS Mini-6 (SOT-666)SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<2 А<1.8 А<3 А<2 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<480 мВт<500 мВт<430 мВт<430 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>300Ic, Vce = 100mA, 2V>300Ic, Vce = 1mA, 5V>300Ic, Vce = 100mA, 2V>300Ic, Vce = 100mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<100 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<120 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<100 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<100 мВIb, Ic = 1mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<200 МГц<150 МГц<100 МГц<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
(не задано)<100 нА(не задано)(не задано)