На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PBSS5220T,215 | PBSS5220V,115 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SS Mini-6 (SOT-666) |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <2 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <20 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <480 мВт | <500 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >225Ic, Vce = 100mA, 2V | >220Ic, Vce = 1mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <80 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <80 мВIb, Ic = 1mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <185 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | <100 нА |