На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PBSS5160K,115 | PBSS5160T,215 | PBSS5160U,115 | PBSS5160V,115 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SS Mini-6 (SOT-666) |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <860 мА | <1 А | <930 мА | <1 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <350 мВт | <270 мВт | <350 мВт | <500 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 1mA, 5V | >200Ic, Vce = 1mA, 5V | >250Ic, Vce = 1mA, 5V | >200Ic, Vce = 1mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <175 мВIb, Ic = 1mA, 100mA | <160 мВIb, Ic = 1mA, 100mA | <115 мВIb, Ic = 1mA, 100mA | <160 мВIb, Ic = 1mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <185 МГц | <220 МГц | <220 МГц | <220 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 нА | |||