На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PBSS5140S,126 | PBSS5140T,215 | PBSS5140U,115 | PBSS5140U,135 | PBSS5140V,115 | PBSS5140V,315 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SS Mini-6 (SOT-666) | SS Mini-6 (SOT-666) |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | |||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <830 мВт | <450 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <500 мВт | <500 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >300Ic, Vce = 1mA, 5V | >300Ic, Vce = 1mA, 5V | >300Ic, Vce = 1mA, 5V | >300Ic, Vce = 1mA, 5V | >160Ic, Vce = 1A, 5V | >160Ic, Vce = 1A, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA | <140 мВIb, Ic = 1mA, 100mA | <140 мВIb, Ic = 1mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <150 МГц | |||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 нА | |||||