На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PBSS4350D,115 | PBSS4350D,135 | PBSS4350S,126 | PBSS4350T,215 | PBSS4350X,115 | PBSS4350X,135 | PBSS4350X,146 | PBSS4350X,147 | PBSS4350Z,135 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-74-6 | SC-74-6 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <3 А | <3 А | <3 А | <2 А | <3 А | <3 А | <3 А | <3 А | <3 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | ||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <750 мВт | <750 мВт | <830 мВт | <480 мВт | <1.4 Вт | <1.4 Вт | <1.6 Вт | <1.6 Вт | <2 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 500mA, 2V | >200Ic, Vce = 500mA, 2V | >200Ic, Vce = 500mA, 2V | >300Ic, Vce = 100mA, 2V | >300Ic, Vce = 100mA, 2V | >300Ic, Vce = 100mA, 2V | >300Ic, Vce = 1A, 2V | >300Ic, Vce = 1A, 2V | >200Ic, Vce = 500mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <90 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <90 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <90 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <80 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <80 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <80 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <370 мВIb, Ic = 300mA, 3A | <370 мВIb, Ic = 300mA, 3A | <90 мВIb, Ic = 50mA, 500mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | (не задано) | (не задано) | <100 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <100 нА | <100 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) |