PBSS4160T,215

PBSS4160, PBSS4160K,115, PBSS4160T,215, PBSS4160U,115, PBSS4160V,115

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPBSS4160K,115PBSS4160T,215PBSS4160U,115PBSS4160V,115
Корпус микросхемы
Корпус
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SS Mini-6 (SOT-666)
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<350 мВт<270 мВт<350 мВт<500 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>250Ic, Vce = 1mA, 5V>400Ic, Vce = 1mA, 5V>250Ic, Vce = 1mA, 5V>250Ic, Vce = 1mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<115 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<110 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<115 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<110 мВIb, Ic = 1mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<220 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 нА