PBSS4140T,215

PBSS4140, PBSS4140S,126, PBSS4140T,215, PBSS4140T,235, PBSS4140U,115, PBSS4140U,135, PBSS4140V,115

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPBSS4140S,126PBSS4140T,215PBSS4140T,235PBSS4140U,115PBSS4140U,135PBSS4140V,115
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SS Mini-6 (SOT-666)
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<830 мВт<450 мВт<450 мВт<350 мВт<350 мВт<500 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>300Ic, Vce = 1mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<140 мВIb, Ic = 1mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<150 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPNNPNNPNNPNNPNPNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 нА