На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PBSS3540E,115 | PBSS3540M,315 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-101, SOT-883 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | <430 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 10mA, 2V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <50 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <300 МГц | <450 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | NPN |