На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PBSS3515E,115 | PBSS3515M,315 | PBSS3515VS,115 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-101, SOT-883 | SS Mini-6 (SOT-666) |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | <500 мА | <1 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 10mA, 2V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <25 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <50 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <50 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <420 МГц | <300 МГц | <300 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | NPN | PNP |