PBSS306NZ,135

PBSS306, PBSS306NX,115, PBSS306NZ,135, PBSS306PX,115, PBSS306PZ,135

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPBSS306NX,115PBSS306NZ,135PBSS306PX,115PBSS306PZ,135
Корпус микросхемы
Корпус
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<4.5 А<5.1 А<3.7 А<4.1 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<100 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1.65 Вт<1.7 Вт<1.7 Вт<1.7 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>200Ic, Vce = 500mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<40 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<40 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<45 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<45 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<110 МГц<110 МГц<100 МГц<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPNNPNPNPPNP