PBSS305NX,115

PBSS305, PBSS305ND,115, PBSS305NX,115, PBSS305NZ,135, PBSS305PD,115, PBSS305PX,115, PBSS305PZ,135

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPBSS305ND,115PBSS305NX,115PBSS305NZ,135PBSS305PD,115PBSS305PX,115PBSS305PZ,135
Корпус микросхемы
Корпус
SC-74-6SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASC-74-6SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<3 А<4.6 А<5.1 А<2 А<4 А<4.5 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<100 В<80 В<80 В<100 В<80 В<80 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<750 мВт<1.65 Вт<1.7 Вт<750 мВт<1.65 Вт<1.7 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>170Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 500mA, 2V>175Ic, Vce = 500mA, 2V>200Ic, Vce = 500mA, 2V>200Ic, Vce = 500mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<60 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<40 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<40 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<90 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<50 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<50 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<140 МГц<110 МГц<110 МГц<110 МГц<100 МГц<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPNNPNNPNPNPPNPPNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 нА(не задано)(не задано)<100 нА(не задано)(не задано)